Verfahren und Einrichtung zum Beschichten eines Substrates mit inhomogenen Schichten

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Einrichtung zum Beschichten eines Substrates mit inhomogenen Schichten. Mit der Erfindung soll eine einfache und wirtschaftliche Loesung hierzu angegeben werden. Hierzu wird das Substrat (15) in einem Plasmareaktor (1) zunaechst der Atmosphaere eines Grundgases, z.B. Silan SiH <-4 ausgesetzt. In einer Plasmaentladung wird dieses Grundgas zersetzt und schlaegt sich auf dem Substrat nieder. Zu diesem Grundgas werden ein weiteres Gas bzw. mehrere Gase, so z.B. Stickstoff und Ammoniak zugemischt, die sich durch Reaktion mit den Gaskomponenten des Grundgases auf dem Substrat als amorphe, nicht-stoechiometrische Verbindungen abscheiden. Durch Variierung der Anteile von Grundgas und Zumischgasen erhaelt die so auf dem Substrat abgeschiedene Beschichtung ueber die Beschichtungsdicke variable physikalische Eigenschaften. Das Verfahren ist insbesondere zur Oberflaechenverguetung von optischen Elementen wie Linsen od.dgl. ueber einen im Vergle ich zu den ueblichen Interferenzschichten grossen Wellenlaengenbereich geeignet und auch im Infrarotbereich einsetzbar; ausserdem zur dekorativen Einfaerbung von Metall- oder Kunststoffgegenstaenden, z.B. Brillengestellen. Mit einer solchen inhomogenen Verguetung kann der Brechungsindex der Beschichtung z.B. von etwa 4 auf etwa 1,5 und kleiner kontinuierlich verringert werden.