Verfahren zum post-CMOS kompatiblen strukturierten Abscheiden einer reinen Bor-schicht

Das hierin beschriebene innovative Konzept betrifft ein Verfahren, das eine strukturierte Abscheidung einer reinen Bor-Schicht unter Einhaltung einer post-CMOS-Kompatibilität erlaubt. Das Verfahren beinhaltet, unter anderem, das Bereitstellen eines Siliziumsubstrats (201) mit einem fertig prozessierten CMOS-Bauelement (200) einschließlich einer zugehörigen elektronischen Signalverarbeitungsschaltung sowie das Aufbringen einer Oxidschicht (220) auf das CMOS-Bauelement (200). Die Oxidschicht (220) wird strukturiert, indem ein erster Teil (230) der Oxidschicht (220) entfernt wird, um einen darunterliegenden Abschnitt (231) des Siliziumsubstrats (201) freizulegen, wobei ein zweiter Teil der Oxidschicht (220) auf dem CMOS-Bauelement (200) verbleibt. Das Verfahren beinhaltet ferner ein strukturiertes Abscheiden einer reinen Bor-Schicht (250) auf dem Siliziumsubstrat (201), wobei die reine Bor-Schicht (250) im CMOS-BEOL (BEOL: Back End Of Line), d.h. nach erfolgter Fertigstellung des CMOS-Bauelements (200), in einem post-CMOS kompatiblen Temperaturbereich abgeschieden wird.