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  4. SCHALTUNGSANORDNUNG MIT GUNNEFFEKT-HALBLEITERBAUELEMENT MIT DIFFUSIONS- UND INJEKTIONSBEGRENZTER RAUMLADUNG
 
  • Details
Options
Patent
Title

SCHALTUNGSANORDNUNG MIT GUNNEFFEKT-HALBLEITERBAUELEMENT MIT DIFFUSIONS- UND INJEKTIONSBEGRENZTER RAUMLADUNG

Other Title
Circuit layout with Gunn effect semiconductor component with diffusion and injection-limited space charge
Inventor(s)
Thim, H.
Link to:
Espacenet
Patent Number
1970-2061834
Publication Date
1973
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
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