UV-Strahlungssensor auf Basis von Diamant

Die vorliegende Erfindung betrifft einen UV-Strahlungssensor mit einem strahlungssensitiven Bereich aus Diamant, der an einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats ausgebildet und über wenigstens zwei Kontaktelektroden elektrisch kontaktierbar ist. Der strahlungssensitive Bereich weist beim vorgeschlagenen UV-Strahlungssensor zwei unterschiedlich dotierte Bereiche aus Diamant auf, die einen pn-Übergang zur Strahlungsdetektion bilden. Ein derartig ausgebildeter UV-Strahlungssensor hat eine hohe Sensitivität im Wellenlängenbereich < 200 nm.

The present invention relates to a UV-radiation sensor with a radiation-sensitive region of diamond, which is formed on the first face of a semiconductor substrate and with which electrical contact can be made via at least two contact electrodes. In the proposed UV-radiation sensor, the radiation-sensitive region has two differently doped regions of diamond that form a pn-junction for purposes of radiation detection. Such a UV-radiation sensor has a high sensitivity in the wavelength range <200 nm.