Verfahren zum Herstellen einer Silikatschicht in einer integrierten Schaltung und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Eine Silikatschicht, die insbesondere als Zwischenoxidisolationsschicht in einer integrierten Schaltung zum Ausgleichen topographischer Unebenheiten dient, wird durch photoinduziertes Polymerisieren von Polysiloxan, Abscheiden einer Polysiloxanschicht und Umwandeln der Polysiloxanschicht in die Silikatschicht hergestellt. Erfindungsgemaess wird das photoinduzierte Polymerisieren von Polysiloxan bei einer ersten Temperatur und einem ersten Druck innerhalb eines ersten Raumes und das Abscheiden der Polysiloxanschicht bei einer zweiten, unterhalb der ersten Temperatur liegenden Temperatur und bei einem zweiten, unterhalb des ersten Druckes liegenden Druck innerhalb eines zweiten Raumes durchgefuehrt.