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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Verfahren zur Ausbildung einer mit ta-C gebildeten Schicht oder einer mit mindestens einer mit ta-C gebildeten Schicht gebildeten Beschichtung sowie damit ausgebildet ta-C-Schicht oder Beschichtung
 
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Patent
Title

Verfahren zur Ausbildung einer mit ta-C gebildeten Schicht oder einer mit mindestens einer mit ta-C gebildeten Schicht gebildeten Beschichtung sowie damit ausgebildet ta-C-Schicht oder Beschichtung

Abstract
Eine erfindungsgemäße ta-C-Schicht oder Beschichtung mit mindestens einer ta-C-Schicht ist mit einem Kohlenstoffanteil von mindestens 95%, einer mittleren Härte von mindestens 25 GPa und einem mittleren E-Modul von mindestens 250 GPa mit anisotropen mechanischen Eigenschaften ausgebildet. Der mittlere E-Modul innerhalb der Schichtebene ist kleiner als 80 % des E-Modulwertes in Richtung der Schichtnormalen. Sie wird im Vakuum mit periodisch gezündeten elektrischen Lichtbögen und einer Kathode aus Graphit unter Einhaltung bestimmter Parameter und dabei insbesondere einer Temperatur im Bereich von 100 °C bis 140 °C ausgebildet.
Inventor(s)
Kaulfuß, Frank  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Zawischa, Martin  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Weihnacht, Volker  
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Hofmann, Falko  
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Lorenz, Lars  
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Makowski, Stefan  
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
Link to:
Espacenet
Patent Number
DE 10 2019 213 573 A1
Publication Date
March 11, 2021
Language
German
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
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