Rückseitenkontaktiertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Rückseitenkontaktierung von Halbleiterbauelementen mit einem Substrat, das im wesentlichen aus Silicum besteht, wobei auf der Rückseite des Substrats zumindest bereichsweise eine Aluminiumschicht unter Ausbildung einer mit Silicium dotierten Aluminiumschicht mit einem Eutektikum von Silicium und Aluminium und einer mit Aluminium dotierten Siliciumschicht als Rückseitenfeld (engl. Back-surface-field, BSF) aufgebracht ist. Hierbei erfolgt eine Reduzierung der Porosität der Aluminiumschicht simultan zur stoffschlüssigen Verbindung des Halbleiterbauelementes mit einem elektrischen Leiter. Erfindungsgemäss wird ebenso ein rückseitenkontaktiertes Halbleiterbauelement bereits gestellt, das mit dem besagten Verfahren herstellbar ist.

The invention relates to a method for the back-surface contacting of solar cells having a substrate, which substrate is substantially composed of silicon, wherein an aluminum layer (2) is applied to the back surface of the substrate at least in some regions, an aluminum layer (2a) doped with silicon and having a eutectic of silicon and aluminum and a silicon layer (2b) doped with aluminum as a back surface field (BSF) thereby being formed. The porosity of the aluminum layer is reduced simultaneously with the bonded connection (6) of the solar cell to an electrical conductor (5). The invention further relates to a back contact solar cell that can be produced by means of said method.