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Patent
Title
Elektrostatisches Halteelement mit Antireflexbeschichtung, Vermessungsverfahren und Verwendung des Halteelementes
Other Title
Electrostatic chuck, e.g. for use in lithographic process of silicon, has transparent cover, and silicon oxide and/or aluminum oxide film applied on portion of chromium oxide film applied on base layer comprising metal applied on substrate
Abstract
(A1) Vorliegende Erfindung betrifft ein elektrostatisches Halteelement bzw. ein optisch strukturiertes Element oder eine optische Maske, das eine auf einem Substrat aufgebrachte Metallschicht sowie eine transparente Abdeckung umfasst. Zwischen der Metallschicht und der Abdeckung sind mindestens zwei Antireflexschichten eingebracht, die die Reflektivitaet der Metallschicht, von der Oberflaeche aus betrachtet, auf nahezu Null reduzieren. Somit wird eine direkte interferometrische Vermessung der Oberflaechenstruktur der transparenten Abdeckung moeglich.
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US 20090279101 A1 UPAB: 20091130 NOVELTY - An electrostatic chuck comprises a substrate (10), a base layer comprising a metal applied on the substrate, a first film of a chromium oxide applied on portion(s) of the base layer, a second film of silicon oxide and/or an aluminum oxide applied on portion(s) of the first film, and a transparent cover (11). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a method of a topographical measurement of a surface of a transparent cover of an electrostatic chuck comprising using a Fizeau interferometer. USE - An electrostatic chuck for use in lithographic processes or structured illumination in processing of silicon, gallium arsenide or glass wafers; or in the handling of wafers or components that have been produced from wafers in vacuum or in an inert gas environment (claimed). ADVANTAGE - The chuck has surface topography and/or surface planarity which can be determined by simple measuring method.
Inventor(s)
Kalkowski, G.
Stenzel, O.
Stoeckl, W.
Patent Number
102008022792
Publication Date
2008
Language
German