Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das wenigstens ein erstes vertikales Leistungsbauelement sowie wenigstens ein laterales, aktives Bauelement und/oder zumindest ein zweites vertikales Leistungsbauelement aufweist, zwischen denen wenigstens ein mit einer Isolierung gefuellter Graben angeordnet ist, sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement zeichnet sich im Wesentlichen durch eine ex- oder konzentrische Anordnung der jeweiligen Funktionselemente, die jeweils durch eine Trenchisolation voneinander getrennt sind, aus. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes wird in die Vorderseite eines Silizium-Substrates zumindest ein Graben geaetzt, der wenigstens eine Teilflaeche der Vorderseite vollumfaenglich umschliesst und der anschliessend mit einer Isolation aufgefuellt wird. Im weiteren Verlauf des Verfahrens wird das Silizium-Substrat von der Rueckseite her bis an die Isolierung, also bis an die Unterseite der Isolation, ganzflaechig geduennt. Die Kontaktierung der Leistungsbauelemente erfolgt von der Rueckseite her.

DE 10300577 A UPAB: 20040818 NOVELTY - The production of a semiconductor vertical and lateral power structural element (SE) with trenches involves the formation of a silicon substrate (1) with a front and rear side, partial etching of a trench (2), filling the trench with insulation (4) containing a dielectric, arrangement of the SE concentrically or elliptically around a common reference point, thinning of the Si substrate from the rear side to the insulation, and contacting the SE from the rear side. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a semiconductor element as described above, where the SE are approximately ring- or plate shaped. USE - Used in the production of semiconductor microchips. ADVANTAGE - The process avoids some drawbacks of previous processes, e.g. the undesirable latch-up effect and undesirable control action of the substrate as in silicon-on-insulator (SOI)-technology, where the substrate acts as a second gate-electrode on transistors integrated into a layer, resulting ultimately in alteration of the switching state of the transistor.