Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

(A1) Die Erfindung betrifft eine Halbleiterstruktur, umfassend eine n-Metallisierung und eine p-Metallisierung (7) sowie ein Halbeitersubstrat mit einem n-dotierten Basisbereich und einem zumindest teilweise daran angrenzenden p-dotierten Emitterbereich (2), zur Ausbildung eines Emitter/Basis-pn-Uebergangs, wobei der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in etwa parallel zu einer Emitter-Oberflaeche (2b) des Halbleitersubstrates erstreckt und die n-Metallisierung mit dem Basisbereich und die p-Metallisierung (7) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden ist. Wesentlich ist, dass die Halbleiterstruktur zusaetzlich einen n-dotierten Passivierungsbereich (5) umfasst, welcher zumindest teilweise zwischen der Emitter-Oberflaeche (2b) und dem Emitterbereich (2) angeordnet ist, wobei der Passivierungsbereich (5) weder mit der n-Metallisierung noch mit der p-Metallisierung (7) elektrisch leitend verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleiterstruktur.

DE 102008005398 A1 UPAB: 20090811 NOVELTY - The semiconductor structure has a semiconductor substrate having a negative-doped base region and a positive-doped emitter region (2) adjoining partially for configuring an emitter or base positive-negative junction (2a). A negative-doped passivation region is disposed partially between an emitter surface (2b) and an emitter region. The passivation region is neither connected to the negative metallization nor to positive metallization in an electrically conductive manner. The semiconductor substrate is a silicon wafer (1). DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are included for the following: (1) a solar cell, which has a semiconductor substrate; and (2) a method for the production of a semiconductor structure. USE - Semiconductor structure for use with a solar cell (Claimed). ADVANTAGE - The negative-doped passivation region is disposed partially between an emitter surface and an emitter region, and passivation region is neither connected to the negative metallization nor to positive metallization in an electrically conductive manner, and hence ensures that good passivation of emitter surface is obtained.