Molekularstrahlepitaxieanlage

Bei einer Molekularstrahlepitaxieanlage wird an der zum Substrat (1) weisenden Seite der Gasquelle (5) ein Gasquellenkopf (11) vorgesehen, der eine Leitkanalstruktur mit einer Vielzahl von Bohrungen (14) aufweist, durch die ein Molekularstrahlbuendel (6) mit einem erwuenschten Dichteprofil in einer erwuenschten Richtung erzeugt wird, so dass auf der Substratflaeche (7) des Substrates (1) eine homogene Deposition erfolgt, ohne dass grosse Gasmengen am Substrat (1) vorbeistroemen und verlorengehen.