Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen des Halbleiterwafers; B Bestimmen der Dotierkonzentration und/oder des Schichtwiderstandes des Halbleiterwafers; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B die Bestimmung an einem oder mehreren in einem Messbereich liegenden Messpunkt erfolgt, wobei der Messbereich innerhalb eines Randbereiches des Halbleiterwafers liegt.