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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Verfahren zur elektronen-induzierten Materialabscheidung

Other Title
Electron-induced material deposition process - esp. for conductive structure deposition on non-conductive substrate.
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektronen-induzierten Materialabscheidung elektrisch leitfaehiger Materialien, das insbesondere bei der Materialabscheidung auf elektrisch nicht leitenden Substraten Vorteile bietet. Elektronen-induzierte Materialabscheidung auf Isolatoren fuehrt zur Aufladung des Substrates und somit zu einer unkontrollierten Ablenkung des Elektronenstrahls in Oberflaechennaehe. Beim erfindungsgemaessen Verfahren wird zunaechst ein Ende eines elektrisch leitfaehigen, geerdeten Drahtes in geringem Abstand zur Oberflaeche des Substrates justiert. Ausgehend vom justierten Drahtende wird elektronen-induziert eine elektrisch leitende Verbindung zur Substratoberflaeche abgeschieden und auf dieser bis zur Sollposition der zu erzeugenden Struktur weitergefuehrt. Danach beginnt die Abscheidung der gewuenschten Struktur. Nach dem Ende des Abscheideprozesses wird die leitende Verbindung geloest. Die Aufladung des Substrates waehrend des Abscheideprozesses kann mit diesem Verfahren zuverlaessig verhindert werden. Eine Einsatzmoeglichkeit fuer das erfindungsgemaesse Verfahren besteht z. B. in der Herstellung von Abtastspitzen auf Schwingquarzen fuer die "atomic force microscopy" (AFM).

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DE 4338478 C UPAB: 19941206 In an electron-induced material deposition process, an electrically conductive structure (2) is deposited on a substrate (1). Improvement is that (a) an earthed, electrically conductive body (3) is positioned at a small distance from the substrate surface; (b) an electrically conductive connection (4) is produced from the body to the substrate surface by electron-induced deposition; (c) the conductive connection is advanced towards the substrate surface to a point at which deposition of the structure (2) begins; (d) the structure is produced by electron-induced deposition starting from the conductive connection; and (e) the conductive connection is at least partially removed. USE - Esp. for material deposition onto electrically non-conductive substrates, e.g. for prodn. of scanning tips on quartz oscillators for atomic force microscopy. ADVANTAGE - The process permits electron-induced deposition of conductive materials onto non-conductive substrates, while reliably preventing charging of the substrate in a simple manner, and no subsequent expensive processing of the structure is required.
Inventor(s)
Kohlmann-von Platen, K.
Link to:
Espacenet
Patent Number
1993-4338478
Publication Date
1994
Language
German
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT  
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