Verfahren zum Herstellen einer halbleiterbasierten Schaltung und halbleiterbasierte Schaltung mit dreidimensionaler Schaltungstopologie

(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer halbleiterbasierten Schaltung mit dreidimensionaler Schaltungstopologie, bei dem mindestens ein Loch (11) in einem ersten Halbleitersubstrat (1) hergestellt wird, waehrend mindestens eine metallische Erhebung (4) auf einer Oberflaeche eines zweiten Halbleitersubstrats (2) hergestellt wird, wobei eine Klebstoffschicht (6) auf einer Wand (5) des mindestens einen Lochs (11) im ersten Halbleitersubstrat (1) aufgetragen wird, wonach die Halbleitersubstrate (1, 2) so zusammengefuegt werden, dass die mindestens eine metallische Erhebung (4) zur Bildung einer Durchkontaktierung an der Klebstoffschicht (6) anliegend in dem mindestens einen Loch (11) im ersten Halbleitersubstrat (1) zu liegen kommt. Die Erfindung betrifft ferner eine entsprechende halbleiterbasierte Schaltung mit dreidimensionaler Schaltungstopologie.