Strahlungsdetektierendes Halbleiterbauelement

DE102012109243A1 Es wird ein strahlungsdetektierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, umfassend ein Siliziumsubstrat (1), das eine Oberflaechenstruktur (3) aufweist, wobei die Oberflaechenstruktur (3) einer Strahlungseintrittsflaeche (5) des Halbleiterbauelements (10) zugewandt ist und sich mindestens bis in eine Tiefe von 100 nm in das Siliziumsubstrat (1) hinein erstreckt, und eine strahlungsabsorbierende Schicht (2), die zur Absorption von Strahlung mit einer Wellenlaenge von mehr als 1100 nm geeignet ist, wobei die strahlungsabsorbierende Schicht (2) eine Dicke von nicht mehr als 1 micrometres aufweist.

The radiation-detecting semiconductor component (10) comprising silicon substrate (1) having a surface structure (3) provided facing a radiation entrance surface (5) of the semiconductor component and extended to a depth of 100 nm into silicon substrate. A radiation-absorbing layer (2) with thickness of not more than 1 mu m is provided for absorbing radiation with a wavelength greater than 1100 nm.