Duennschichtsolarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Beschrieben wird eine Duennschichtsolarzellenanordnung sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben, mit einer ueber einem flaechig ausgebildeten Traegersubstrat angeordneten Solarzellenschicht, die wenigstens einen n-leitenden (Emitter) und wenigstens einen p-leitenden (Basis) Halbleiter-Schichtbereich aufweist, sowie eine erste und zweite Kontaktelektrode mit jeweils unterschiedlicher elektrischer Polaritaet, die jeweils mit dem Emitter bzw. der Basis elektrisch verbunden sind. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass unmittelbar oder getrennt durch eine elektrische Isolationsschicht auf dem Traegersubstrat wenigstens die erste Kontaktelektrode aufgebracht ist, ueber der eine elektrische Isolationsschicht vorgesehen ist, und ueber der Isolationsschicht die Solarzellenschicht angeordnet ist, dass wenigstens ein Kontaktkanal die Isolationsschicht und/oder die Solarzellenschicht derart durchsetzt, dass mittels eines innerhalb des Kontaktkanals vorgesehenen elektrisch leitenden Materials die erste Kontaktelektrode und der zuu der Polaritaet der ersten Kontaktelektrode entsprechende Halbleiter-Schichtbereich innerhalb der Solarzellenschicht miteinander elektrisch verbunden sind, und dass entweder die zweite Kontaktelektrode mit dem zu dieser Polaritaet entsprechenden Halbleiter-Schichtbereich unmittelbar elektrisch kontaktiert ist oder dass die zweite Kontaktelektrode ebenfalls wie die erste Kontaktelektrode ueber der Traegerschicht und unter der elektrischen Isolationsschicht und ...

DE 19854269 A UPAB: 20000818 NOVELTY - The solar cell layer (1) comprises a semiconductor layer region with at least one N-conductive emitter (1a) and P-conductive base (1b) and two contact electrodes (3a,b). The first contact electrode (3b) is deposited directly, or over an insulating film (4), on the support substrate (2). The electrode is covered by a second insulation film (5) supporting the solar cell layer. Through the second film and/or solar cell layer passes a contact channel (6b) such that conductive material (7) within the channel interconnects the first contact electrode and base. The second contact electrode (3a) is directly coupled to the emitter, or via a second contact channel (6a). DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are included for the manufacturing. method. USE - For solar cell systems with low-cost manufacturing. method. ADVANTAGE - No need to use precisely adjusted mask and easy coupling of several cell structures.