Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung poröser Siliciumschichten

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung poröser Siliciumschichten (Einfach- oder Mehrfachschichten) auf Werkstücken aus Silicium oder Werkstücken mit einer Silicium-Beschichtung. Das erfindungsgemässe Verfahren basiert dabei auf einem einseitigen Ätzverfahren, wobei das Werkstück mittels einer Transportvorrichtung horizontal mit der zu ätzenden Frontseite des Werkstücks an mindestens einer Ätzkammer enthaltend einen Elektrolyten und eine Kathode vorbeigeführt wird. Dieses Verfahren kann insbesondere für die Herstellung von PV-Zellen eingesetzt werden.

The invention concerns a device and a method for the continuous production of porous silicon layers (single or multiple layers) on workpieces made of silicon or workpieces coated with silicon. The method according to the invention is based on a one-sided etching method, the workpiece being guided past at least one etching chamber containing an electrolyte and a cathode by means of a transport device, horizontally with the workpiece front side to be etched. The method can be used in particular for producing PV cells.