Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements weist folgende Schritte auf: Bereitstellen einer Schichtstruktur des Halbleiterbauelements, wobei die Schichtstruktur eine erste Schicht aufweist, wobei die erste Schicht ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial aufweist; Aufbringen einer zweiten Schicht auf eine Hauptoberflächenregion der ersten Schicht, so dass die zweite Schicht Silizium und ein Dotiermaterial für das Silizium aufweist; Aktivieren der zweiten Schicht, um zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht einen ohmschen Kontakt auszubilden.