Verfahren zur Herstellung eines differentiellen, zweifarbigen UV-Detektors und diffentieller, zweifarbiger UV-Detektor

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines UV-Detektors folgende Verfahrensschritte umfassend: A0 Bereitstellen eines Substrats (3); A Abscheiden einer n-dotierten Halbleiterschicht (6) auf dem Substrat (3); B Abscheiden einer im Wesentlichen im Wesentlichen intrinsischen Halbleiterschicht als Grundabsorberschicht (12); C Abscheiden einer p-dotierten Halbleiterschicht (13); D Aufbringen einer p-Kontaktierungsstruktur (16a, 16b) auf die p-dotierte Halbleiterschicht (13) und einer n-Kontaktierungsstruktur (23) auf die n-dotierte Halbleiterschicht (6), welches dadurch gekennzeichnet ist, dass zwischen Verfahrensschritt A und Verfahrensschritt C in einem Verfahrensschritt X eine Zusatzabsorberschicht (7) abgeschieden wird, wobei die Zusatzabsorberschicht (7) als weitere n-dotierte Halbleiterschicht oder weitere im Wesentlichen intrinsische Halbleiterschicht ausgebildet wird, dass in einem Verfahrensschritt Y nach dem Verfahrensschritt X zumindest die Zusatzabsorberschicht (7) in einem lokalen ersten Bereich (8) entfernt wird, und in einem Verfahrensschritt Z nach dem Verfahrensschritt C ein erster Diodenbereich (8.1) von einem zweiten Diodenbereich (11) getrennt wird, indem zumindest die Grundabsorberschicht (12) in einem Zwischenbereich entfernt wird, welcher Zwischenbereich zwischen dem ersten Diodenbereich (8.1) und dem zweiten Diodenbereich (11) angeordnet ist, wobei der erste lokale Bereich (8) den ersten Diodenbereich (8.1) und den Zwischenbereich (8.2) umfasst und den zweiten Diodenbereich (11) ausspart und die in Verfahrensschritt A abgeschiedene n-dotierte Halbleiterschicht (6) als eine gemeinsame n-dotierte Halbleiterschicht (6) für den ersten Diodenbereich (8.1) und den zweiten Diodenbereich (11) ausgebildet wird.

The method involves forming an additive absorber layer (7) on n-doped semiconductor layer (6). The additive absorber layer in first local area (8) is removed, so that first diode region (8.1) is separated from a second diode region (11). A main absorber layer (12) in an intermediate region (8.2) between first and second diode regions is removed, such that the first local area comprises the first diode region and the intermediate region. The n-doped semiconductor layer is formed as a common n-type semiconductor layer for first and second diode regions. An independent claim is included for UV detector.