Verfahren zur Bor-Dotierung von Wafern unter Einsatz eines Vertikalofensystems

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bor-Dotierung von Wafern unter Einsatz eines Vertikalofensystems. Das eingesetzte Vertikalofensystem weist einen sich von einem oberen Ende zu einem unteren Ende vertikal erstreckenden Reaktionsraum mit mehreren unabhaengig voneinander heizbaren Temperaturzonen auf. Eine obere Temperaturzone ist an einem Gaseinlass fuer ein borhaltiges Reaktivgas vorgesehen. Die weiteren Zonen schliessen sich bis zum unteren Ende des Reaktionsraumes an die obere Zone an. Bei dem Verfahren wird das borhaltige Reaktivgas ueber im Reaktionsraum befindliche Wafer geleitet. Aus der dadurch auf den Wafer abgeschiedenen Borschicht diffundiert das Bor anschliessend in die Waferoberflaeche. Beim erfindungsgemaessen Verfahren wird die Temperatur der weiteren Zonen so eingestellt, dass waehrend der Abscheidung ueber den weiteren Zonen ein Temperaturanstieg und waehrend der Diffusion ueber den weiteren Zonen ein Temperaturabfall zum unteren Ende des Reaktionsraumes hin aufrechterhalten werden. Auf diese Weise laesst sich eine hohe Gleichfoermigkeit der erzeugten Dotierungsprofile sowohl ueber die einzelnen Wafer als auch ueber den Reaktionsraum erreichen. Das Gleiche gilt fuer die Reproduzierbarkeit des Dotierungsprofils zwischen einzelnen Prozessdurchlaeufen.

WO 200039840 A UPAB: 20000818 NOVELTY - Boron-containing reactive gas is fed over a wafer (4) in reaction chamber (2) to deposit a boron layer on the wafer. Boron penetrates the surface of the wafer by diffusion from the boron layer. The temperature of the further zones (5b-e) are adjusted so that during deposition of the boron layer over the further zones, a temperature rise and fall are maintained at the end of the reactor chamber. DETAILED DESCRIPTION - Process for the boron doping of wafers uses a vertical furnace (1) having a reaction chamber extending vertically from the upper to the lower end. The chamber has independently heated temperature zones (5a-e), the upper zone (5a) of which has a gas inlet (6) for boron-containing reactive gas and is connected to the further zones (5b-e). The boron-containing reactive gas is fed over a wafer (4) in the reaction chamber (2) to deposit a boron layer on the wafer. Boron penetrates the surface of the wafer by diffusion from the boron layer. The temperature of the further zones (5b-e) is adjusted so that during deposition of the boron layer over the further zones, a temperature rise and fall are maintained at the end of the reactor chamber. USE - The method is used in the production of power metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) in double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) technology or bipolar transistors. ADVANTAGE - The process is reliable.