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Patent
Title
Verfahren zur Charakterisierung von Materialparametern an Halbleitergrenzflächen mittels THz-Strahlung
Other Title
DEVICE, PRODUCTION PLANT AND METHOD FOR CHARACTERISING MATERIAL BOUNDARY SURFACES WITH THZ RADIATION, AND USE THEREOF
Abstract
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Charakterisierung der energetischen Wirkung, die ein erstes Material eines Verbundsystems, insbesondere eines Halbleiterschichtsystems, von zwei unterschiedlichen Materialien im Bereich der Materialgrenzflaeche zwischen den beiden Materialien auf das zweite Material des Verbundsystems ausuebt, auf Basis von im Bereich der Materialgrenzflaeche emittierter THz-Strahlung.
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The invention relates to a device for characterising the effect of energy, which a first material of a composite system, in particular of a semiconductor layer, made of two different materials exerts on the second material of the composite system in the region of the material boundary surface between the two materials, on the basis of THz radiation emitted in the region of the material boundary surface.
Inventor(s)
Nolte, S.
Matthäus, G.
Hoyer, P.
Füchsel, K.
Patent Number
102010056098
Publication Date
2010
Language
German