Verfahren zur Herstellung von Photodetektoren

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Photodetektoren, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird, das an der Vorderseite einen photoempfindlichen Bereich zwischen zwei elektrisch leitfaehigen Bereichen in lateraler Anordnung aufweist. Anschliessend wird die elektrische Kontaktierung und Verdrahtung der elektrisch leitfaehigen Bereiche auf der Vorderseite des Substrates durchgefuehrt. Das Substrat wird dann mit einem Traegersubstrat derart verbunden, dass die Vorderseite des Substrates zum Traegersubstrat gerichtet ist. Schliesslich wird das Substrat von der Rueckseite her geduennt bis auf eine Dicke, die die Transmission der zu detektierenden Strahlung zur photoempfindlichen Schicht von der Rueckseite her ermoeglicht. Auf diese Weise kann ein Array von dicht liegenden Photodetektoren verwirklicht werden, die hinsichtlich der Pixeldichte nicht durch die Verdrahtung eingeschraenkt sind.

DE 19838373 A UPAB: 20000531 NOVELTY - Photodetector production comprises back face thinning a front face wired substrate (1), bonded to a second substrate, to allow back face radiation transmission to a photosensitive region. DETAILED DESCRIPTION - Photodetector production process comprises: (a) preparing a first substrate (1) with a photosensitive region between two laterally spaced conductive regions (4, 5) on its front face; (b) carrying out electrical contacting and wiring of the conductive regions; (c) bonding the front face of the first substrate to a second substrate; and (d) back face thinning the first substrate to allow radiation transmission from the back face to the photosensitive region. Preferred Features: The first substrate (1) may be an SOI substrate and the second substrate consists of single crystal silicon, polysilicon, quartz or glass. USE - Especially for production of photodiodes, preferably in the form of an array, e.g. for (magneto)optical data storage (e.g. in CD, DVD or MO drives), optical data transmission through glass fiber networks, image processing, pattern recognition and optical spectroscopy. ADVANTAGE - The process facilitates wiring especially of arrays without reduction of the optically active area or pixel density.