Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit mindestens einer optisch verspiegelten Oberflaeche, bei dem ein Siliciumwafer, der an zumindest einer seiner Oberflaechen zumindest bereichsweise eine aetzbare dielektrische Schicht aufweist, mit einer siliciumhaltigen Maskierungsschicht zur Abschirmung gegenueber fluidischen Medien versehen wird. Auf der Maskierungsschicht wird zusaetzlich eine Schicht aus Aluminium abgeschieden und anschliessend eine thermische Behandlung des Halbleiterbauelementes vorgenommen, wobei es zur Aufloesung des Siliciums im Aluminium kommt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein entsprechendes Halbleiterbauelement aus einem Siliciumwafer mit mindestens einer optisch verspiegelten Oberflaeche. Verwendung finden derartige Halbleiterbauelemente insbesondere als Solarzellen.

WO 2007096084 A1 UPAB: 20071026 NOVELTY - The method involves separating aluminum layer on masking layer, and liquidating silicium in aluminum by thermal treatment. An optically reflecting surface has a silicon wafer, which has an etchable dielectric layer in certain regions on the surfaces. The silicon wafer is provided with silicon-containing masking layer for shielding it from fluidic medium. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a semiconductor component has an optical reflecting surface. The semiconductor component has solar cell whose degree of efficiency ranges from 18 to 20 per cent measured according to IEC 60904-1 to IEC 60904-10 . USE - Used for manufacturing semiconductor component e.g. solar cells (Claimed). ADVANTAGE - An optically reflecting surface, has a silicon wafer, which has an etchable dielectric layer in certain regions on its surfaces and a layer made of aluminum is separated on the masking layer and liquidation of silicium in aluminum is done by a thermal treatment, and hence ensures high reflection value in a simple manner, efficiency of the solar cell is improved by 18 per cent.