Monolithisch integrierte optoelektronische Baugruppe

(A1) Es wird eine monolithisch integrierte optoelektronische Baugruppe mit einem auf ein Substrat aufgebrachten Wellenleiterschichtstapel, der eine von einer Faser lichtempfangende Wellenleiterschicht aufweist, in die mindestens eine Fotodiode Wellenleiter-integriert ist, vorgeschlagen. In die Wellenleiterschicht sind mehrere Fotodioden integriert, die derart lateral und/oder vertikal strukturiert ist, dass sich an einen Einkoppelwellenleiter ein optisches Verteilnetzwerk anschliesst, das wiederum ueber Wellenleiterstuecke parallel die mehreren Wellenleiter-integrierten Fotodioden speist, die elektrische in Reihe geschaltet sind. Alle Bauelemente sind auf einem Chip integriert und es wird eine Umwandlung einer optischen Eingangsleistung in eine elektrische Leistung zu Stromversorgungszwecken vorgenommen. Eine Fotodiode kann als Signaldiode ausgebildet sein, die von den restlichen der mehreren Dioden versorgt wird, wodurch ein eigenversorgter Fotodetektor gebildet wird. Mit einer zusaetzlich auf dem Chip integrierten Antenne wird ein monolithisch integrierter, in den Freiraum strahlender Antennenschaltkreis zur Verfuegung gestellt.

DE 102008008480 A1 UPAB: 20090907 NOVELTY - The device has a waveguide layer stack attached on a substrate and comprising a waveguide. Photodiodes (2) are integrated in the layer and are laterally and/or vertically structured such that an optical distribution network (4) is connected to a coupling waveguide. The distribution network parallely energizes waveguide-integrated photodiodes by a waveguide piece, where the waveguide-integrated photodiodes are electrically connected in series. All components of the device are integrated on a chip, where the device converts optical input power into electrical power for supplying current. DETAILED DESCRIPTION - The distribution network is formed as a multimode interference coupler, and the waveguide-integrated photodiodes are formed as a receiving diode of a photoreceiver and a transmitting diode. A dielectric layer is formed as benzocyclobutene layer and silicon nitride layer. USE - Monolithically integrated optoelectronic device e.g. self-supplied photoreceiver (claimed) and/or photodetector, converter, and self-supplied pin photodiode antenna circuit. ADVANTAGE - The components of the optoelectronic device are integrated on thee chip, so that the device can be formed in a compact manner. The photodiodes produce random output voltage value in a range of one Volt without utilizing efficiency-worsening and interference signal-producing direct current to direct current converters in interference signal sensitive operating environments. The device exhibits high robustness against electromagnetic interfering pulses and provides maintenance-free operation.