Stapelförmige integrierte Mehrfachsolarzelle

Stapelförmige integrierte Mehrfachsolarzelle, mit einer ersten Teilzelle, wobei die erste Teilzelle eine Schicht aus einer InGaP Verbindung mit einer ersten Gitterkonstante und einer ersten Bandlückenenergie aufweist und die Dicke der Schicht grösser als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer zweiten Teilzelle, wobei die zweite Teilzelle eine Schicht aus einer In m P n Verbindung mit einer zweiten Gitterkonstante und einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht grösser als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer dritten Teilzelle,; wobei die dritte Teilzelle eine Schicht aus einer In x Ga 1-x As 1-y P y Verbindung mit einer dritten Gitterkonstanten und einer dritten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht grösser als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer vierten Teilzelle, wobei die vierte Teilzelle eine Schicht aus einer InGaAs Verbindung mit einer vierten Gitterkonstanten und einer vierten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht grösser als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, wobei für die Bandlückenenergien gilt Eg1 > Eg2 > Eg3 > Eg4,; und zwischen zwei Teilzellen ein Bereich mit einem Wafer Bond ausgebildet ist.