Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern eines dotierten Halbleitersubstrates durch Messung von Photolumineszenzstrahlung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern (injektionsabhängige Lebensdauer der Minoritätsladungsträger und Dotierkonzentration) eines dotierten Halbleitersubstrates durch Messung von Photolumineszenzstrahlung, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Beaufschlagen des Halbleitersubstrates mit elektromagnetischer Anregungsstrahlung zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in dem Halbleitersubstrat, wobei der zeitliche Verlauf der Intensität der Anregungsstrahlung periodisch moduliert ist, so dass die Generationsrate G von Ladungsträgerpaaren in dem Halbleitersubstrat aufgrund der Anregungsstrahlung während einer Anregungsperiode ein Maximum und ein Minimum aufweist und wobei zumindest der relative zeitliche Verlauf der Generationsrate G(t) mittels zeitabhängiger Messung der Intensität der Anregungsstrahlung bestimmt wird,; B Zeitaufgelöstes Messen der Intensität der von einem Messbereich des Halbleitersubstrates ausgehenden Lumineszenzstrahlung, wobei zumindest der relative zeitliche Verlauf der Intensität der Lumineszenzstrahlung [Phi](t) zumindest während einer Anregungsperiode gemessen wird, C Bestimmen mindestens eines Materialparameters des Halbleitersubstrates abhängig von dem zeitlichen Verlauf G(t) der Generationsrate und dem zeitlichen Verlauf der Intensität der Lumineszenzstrahlung [Phi](t), Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt C die effektive Lebensdauer [tau] des Halbleitersubstrates zumindest für die während einer Anregungsperiode maximal erreichte Überschussladungsträgerdichte [Delta]nmax aus der zeitlichen Differenz zwischen dem Maximum von G(t) und einem hierzu korrespondierenden Maximum von [Phi](t) ermittelt wird.