Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung. Im Verfahren wird eine Anordnung bzw. Einhausungstechnologie bereitgestellt, die mindestens ein Halbleiterbauelement, mindestens ein Element zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterbauelements und eine Mehrzahl schichtförmiger ungesinterter Keramiksubstrate umfasst, wobei die Mehrzahl schichtförmiger ungesinterter Keramiksubstrate zumindest teilweise um das mindestens eine Halbleiterbauelement und das mindestens eine Element zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterbauelements herum angeordnet ist. Die Anordnung wird einem Sinterprozess unterzogen, bei welchem die Mehrzahl schichtförmiger ungesinterter Keramiksubstrate in ein gesintertes keramisches Ein- oder Mehrlagensubstrat bzw. einen gesinterten keramischen Ein- oder Mehrlagenschaltungsträger umgewandelt wird und gleichzeitig eine elektrische Anbindung des mindestens einen Halbleiterbauelements an das mindestens eine Element zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterbauelements sowie eine mechanische Anbindung des mindestens einen Halbleiterbauelements und des mindestens einen Elements zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterbauelements an das keramische Ein- oder Mehrlagensubstrat bzw. den keramischen Ein- oder Mehrlagenschaltungsträger erfolgt. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung auch eine mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbare Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung sowie deren Verwendung.