Terahertz-Antenne und Verfahren zum Herstellen einer Terahertz-Antenne

Die Erfindung betrifft eine Terahertz-Antenne, mit mindestens einer fotoleitenden Schicht (11), die bei Einstrahlung von Licht Ladungsträger generiert; zwei elektrisch leitfähige Antennenelemente (21, 22), über die eine elektrische Spannung an zumindest einen Abschnitt der fotoleitenden Schicht (11) anlegbar ist, die fotoleitenden Schicht (11) mit einem Dotierstoff in einer Konzentration von mindestens 1 × 1018 cm-3 dotiert ist. Erfindungsgemäß ist die fotoleitende Schicht (11) per Molekularstrahlepitaxie bei einer Wachstumstemperatur von maximal 500° C erzeugt. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Terahertz-Antenne.

The invention relates to a terahertz antenna comprising at least one photoconductive layer (11) which generates charge carriers during the irradiation of light, and two electroconductive antenna elements (21, 22) by which means an electrical voltage can be applied to at least one section of the photoconductive layer (11), the photoconductive layer (11) being doped with a dopant in a concentration of at least 1 x 1018cm-3, the dopant being a transition metal. According to the invention, the photoconductive layer (11) is produced by molecular beam epitaxy at a minimum growth temperature of 200°C and a maximum of 500°C, the dopant being arranged in the photoconductive layer (11) such that it produces a plurality of point defects. The invention also relates to a method for producing a terahertz antenna.