Verfahren zur Herstellung metallischer Kontakte eines elektronischen Bauelements durch photonisches Sintern

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines metallischen Kontakts in einem elektronischen Bauelement, folgende Schritte umfassend:- Aufbringen einer ein- oder mehrschichtigen Metallbeschichtung durch eine Gasphasenabscheidung auf einer Vorderseite eines Halbleitersubstrats, wobei die Metallbeschichtung als oberste Metallschicht eine Schicht aus Silber, Aluminium oder Kupfer oder einer Legierung eines dieser Metalle aufweist,- Bedrucken einer definierten Fläche der obersten Metallschicht der Metallbeschichtung mit einer Paste, die Metallpartikel und/oder einen Metallpartikel-Präkursor enthält,- Bestrahlen der aufgedruckten Paste mit Licht, so dass durch die Bestrahlung der Paste ein metallischer Kontakt, der die miteinander versinterten Metallpartikel enthält, erhalten wird,- Ätzen oder anodisches Oxidieren der freiliegenden Metallbeschichtung.