Verfahren zum Herstellen eines dreidimensional-integrierten Halbleiterspeichers

Das hierin beschriebene Konzept betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines dreidimensional-integrierten Halbleiterspeichers (1000). Hierfür wird zunächst ein Schichtstapel (100) mit mehreren Einzelschichten (101, 102) unterschiedlicher Materialtypen bereitgestellt. Zunächst werden Einzelschichten (101) eines ersten Materialtyps selektiv aus dem Schichtstapel (100) herausgeätzt. Hierfür wird erfindungsgemäß ein Trockenätzprozess eingesetzt. Anschließend werden Einzelschichten (103) eines dritten Materialtyps erzeugt, indem entweder Leerräume (107) mit einem dritten Material befüllt werden, oder die Einzelschichten (102) des zweiten Materialtyps in die Einzelschichten (103) des dritten Materialtyps gewandelt werden, oder die Einzelschichten (102) des zweiten Materialtyps mit einem Material des dritten Materialtyps belegt werden. Leerräume (108) zwischen den Einzelschichten (103) des dritten Materialtyps können dann nochmals mit einem vierten Material gefüllt werden, sodass in diesen Leerräumen (108) Einzelschichten (104) eines vierten Materialtyps entstehen. Mittels eines geeigneten vertikalen Ätzprozesses, können die Einzelschichten (104) des vierten Materialtyps voneinander elektrisch getrennt werden, um so eine Word Line des erzeugten dreidimensional-integrierten Halbleiterspeichers (1000) zu bilden.