Halbleiterbauelement, das eine Schicht aus transparentem, n-leitendem Material aufweist, und Verwendung derartiger Bauelemente

Halbleiterbauelement, das eine Schicht aus transparentem, n-leitendem Material aufweist, und Verwendung derartiger Bauelemente. Insbesondere in der optischen Nachrichtentechnik, fuer die sich zunehmend der Einsatz monomodaler Systeme abzeichnet, werden sowohl elektronische als auch opto-elektronische Bauelemente und Schaltungen, vorzugsweise auch in monolithischer Integration benoetigt. Auf der Basis von III-V-Material - InP, InGaAs, InGaAsP - ist fuer Bauelemente unterschiedlicher Art - z. B. pn-Dioden, Bipolartransistoren, Photodioden, Lumineszenzdioden, Laser - ein weitgehend einheitliches Technologiekonzept moeglich, das verhaeltnismaessig geringen Aufwand erfordert, mit anderen Prozessschritten kompatibel ist, keine Anpassung von Kristall- Gitterkonstanten erfordert u. v. m. Dies beruht erfindungsgemaess darauf, dass die Bauelemente mindestens eine Schichtenfolge besitzen, in der eine p- oder n-dotierte Halbleiterschicht mit transparentem, n-leitendem, polykristallinem bis amorphem Oxidmaterial - vorzugsweise CdO, Cd(Sn)O, In<2(Sn)O<3 - einen pn-Uebergang bzw. einen quasi-ohmschen Kontakt bilden.

EP 173643 A UPAB: 19930922 A semiconductor device, including a layer of optically transparent n-conducting material of polycrystalline to amorphous structure, has at least one layer sequence in which a monocrystalline p- or n-doped layer of InP, InGaAs or InGaAsP semiconductor material and the layer of transparent n-conducting material form a pn junction or a quasi-ohmic contact. USE - The device is used in the assembly of (opto-)electronic integrated circuits (claimed), esp. in monomodal systems in optical communication and also in monolithic circuits. 7/7