Verfahren zum Ueberpruefen der Getter-Gasabsorptionskapazitaet in Kavitaeten von fuer die Mikrosystemtechnik geeigneten Mehrfachbauelementen sowie fuer dieses Verfahren benoetigte Bauteile

(B3) Die Erfindung betrifft einen Boden- oder Deckelwafer (1) fuer die Herstellung von spaeter zu vereinzelnden, Kavitaeten fuer aktive Strukturen umschliessenden Vielfach-Bauelementen, die vorzugsweise in der Mikrosystemtechnik einsetzbar sind, wobei der Boden- oder Deckelwafer mehrere Gasabsorptionsfelder (2) aufweist, die mit einer jeweils gleichbleibenden Flaeche (3) an Gettermaterial bedeckt und so angeordnet sind, dass sie in zumindest einigen der zu bildenden Kavitaeten zu liegen kommen sollen, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Gettertestfeld (4) vorgesehen ist, das so angeordnet ist, dass es ebenfalls in einer zu bildenden Kavitaet zu liegen kommen soll, wobei das Gettertestfeld eine kleinere Gettermaterial-Flaeche (5) als die Gasabsorptionsfeld-Flaeche (3) aufweist. Dieser Wafer eignet sich zur Ueberpruefung der Getter-Gasabsorptionskapazitaet der unter seiner Verwendung herstellbaren Vielfach-Bauelemente. Das Verfahren zur Ueberpruefung beinhaltet den Schritt des Flutens der Prozesskammer mit einem Prozessgas, enthaltend oder bestehend aus einer Gassorte A, die von dem Gettermaterial absorbiert werden kann, und einer Gassorte B, die von dem Gettermaterial nicht oder in substantiell geringem Ausmass absorbiert werden kann, wobei die Anteile an der Gassorte A und der Gasssorte B im Prozessgas bekannt sind, und, nach Verbinden des Wafers mit seinem Gegenstueck und ggf. nach Aktivieren des Gettermaterials, das Bestimmen des Innendrucks in den Kavitaeten, in denen ...

DE 102006042764 B3 UPAB: 20080604 NOVELTY - The wafer (1) has multiple gas absorption arrays (2) that are covered with a uniform surface (3) on a getter material and arranged in such a manner that the gas absorption arrays come to lie in a cavity that is to be formed. A getter test array (4) is arranged in such a manner that the getter test array comes to lie in the cavity, where the getter test array exhibits a small getter material surface (5) than the gas absorption array surface. Another getter test array (6) is provided, where the getter test array (6) is free of getter material. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method for checking a getter gas absorption capacity of a multiplicate component. USE - Base or cover wafer for producing a cavity for a multiplicate component (claimed) that is utilized in a microsystem technology. ADVANTAGE - The getter test array is arranged in such a manner that the getter test array comes to lie in the cavity, where the getter test array exhibits the small getter material surface than the gas absorption array surface, thus permitting a direct control of the getter capacity of the multiplicate component in a sensor covering process on a wafer layer.