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Patent
Title
SCHOTTKY-DIODE.
Abstract
Eine Schottky-Diode besteht aus einem Substrat aus Gallium-Arsenid (5), auf das epitaktisch eine monokristalline mit Silizium dotierte Gallium-Arsenid-Schicht (6) aufgebracht ist. Zur Bildung eines Schottky-Kontaktes wird auf diese Schicht epitaktisch eine monokristalline Erbium-Arsenid-Schicht oder Ytterbium-Arsenid-Schicht (7) aufgebracht. Als Deckschicht folgt eine Gallium-Arsenid-Schicht (8) hoher Dotierung.
Inventor(s)
Smith, R.
Wennekers, P.
Patent Number
1987-3728135
Publication Date
1989
Language
German