Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Licht absorbierenden Halbleiterbauelementes (10), bei welchem zumindest eine Teilfläche (240) eines Halbleitersubstrates (100) mit einer Mehrzahl von Laserpulsen einer vorgebbaren Länge bestrahlt wird, wobei die Pulsform der Laserpulse durch Modulation der Amplitude und/oder der Polarisation an zumindest eine vorgebbare Sollform angepasst wird.; Weiterhin betrifft die Erfindung ein Halbleiterbauelement (10) zur Wandlung elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, enthaltend ein kristallines Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (102), wobei zumindest in einem an die erste Seite angrenzendem Teilvolumen (110) des Halbleitersubstrates (100) ein Dotierstoff eingebracht ist, so dass zwischen dem Teilvolumen (110) und dem Halbleitersubstrat (100) ein erster pn-Übergang (21) ausgebildet ist, wobei zumindest eine erste Teilfläche (240) der zweiten Seite (102) mit einem Dotierstoff und einer Oberflächenmodifikation versehen ist, so dass ein zweiter pn-Übergang (22) ausgebildet ist.

The invention relates to a process for producing a light-absorbing semiconductor component (10), in which process at least a partial area (240) of a semiconductor substrate (100) is irradiated with a plurality of laser pulses of a predefinable length, wherein the pulse shape of the laser pulses is adapted to at least one predefinable desired shape by modulation of the amplitude and/or of the polarization. Furthermore, the invention relates to a semiconductor component (10) for converting electromagnetic radiation into electric power, comprising a crystalline semiconductor substrate (100) with a first side (101) and an opposite, second side (102), wherein a dopant is introduced at least in a partial volume (110) of the semiconductor substrate (100) which adjoins the first side, such that a first pn junction (21) is formed between the partial volume (110) and the semiconductor substrate (100), wherein at least a first partial area (240) of the second side (102) is provided with a dopant and a surface modification, such that a second pn junction (22) is formed.