Patent
Title

Verfahren zur Herstellung einer Aetzmaske durch Ionenstrahllithographie

Other Title
Process for the production of an etch mask by means of ion beam lithography
Abstract
Ein Ionenstrahl-Mikrolithographieverfahren zur Strukturierung von Maskierungsschichten, insbesondere bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen, verwendet zur positiven Sensibilisierung von im Plasma abgeschiedenen Polymethylmethacrylat- oder Polystyrolschichten Silber-Ionen oder Kupfer-Ionen, die die Negativ-Wirkung der Quervernetzung durch das Ionenbombardement bei der Plasmapolymerisation aufzuheben imstande sind.
Inventor(s)
Rothemund, W.
Fritzsche, C.
Link to:
Patent Number
1985-3501848
Publication Date
1990
Language
German