Fraunhofer-Gesellschaft

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Angular distributions of sputtered atoms from semiconductor targets at grazing ion beam incidence angles

 
: Sekowski, M.; Burenkov, A.; Hernández-Mangas, J.; Martinez-Limia, A.; Ryssel, H.

:
Fulltext urn:nbn:de:0011-n-924631 (1.2 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 68a989661b89f018cb97d630132cf5ad
Copyright AIP
Created on: 2.4.2009


Seebauer, E.G.:
Ion implantation technology 2008. 17th International Conference on Ion Implantation Technology, IIT 2008 : Monterey, California, 8 - 13 June 2008
Melville/NY: AIP Press, 2008 (AIP Conference Proceedings 1066)
ISBN: 978-0-7354-0597-4
ISSN: 0094-243X
pp.236-239
International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) <17, 2008, Monterey/Calif.>
English
Conference Paper, Electronic Publication
Fraunhofer IISB ()
Zerstäubung; Germanium; Silicium

Abstract
Der Zerstäubungsprozess von Germanium und Silicium wird experimentell und durch Monte-Carlo Simulationen untersucht. Insbesondere wird der streifende Ioneneinfall untersucht, da hier die Winkelverteilungen zerstäubter Atome asymmetrisch zum Polarwinkel sind. Ein verbessertes analytisches Modell zur Beschreibung von Winkelverteilungen wird vorgestellt, welches zusätzlich vom Ioneneinfallswinkel abhängig ist.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-92463.html