Bach, H.G.H.G.BachBeling, A.A.BelingEbert, W.W.EbertEckhardt, T.T.EckhardtGibis, R.R.GibisKunkel, R.R.KunkelMaul, B.B.MaulMekonnen, G.G.G.G.MekonnenSahin, G.G.SahinSchlaak, W.W.Schlaaket al.2022-03-072022-03-072006https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/293184Die Weiterentwicklung von wellenleiter-integrierten Photodetektoren für Bitraten von 80/100 Gbit/s und höher und die Steigerung der Bandbreite der Photoempfänger bei 160 Gbit/s unter Anwendung des monolithischen Integrationskonzepts einer wellenleiter-integrierten Photodiode mit einem elektrischen Wanderwellenverstärker auf InP-Basis im optischen Langwellenbereich um 1,55 Mikrometer stehen hier im Mittelpunkt der Betrachtungen. Dabei wird auch eine Weiterentwicklung der Modultechnik für 80 Gbit/s und höher und durch die Anwendung einer Chip-Board- Verbindungstechnologie in Form der Flip-Chip-Bond-Technik für Datenraten im 160 Gbit/s-Bereich vorgenommen. Unter Beibehaltung des pinTWA- Integrationskonzepts werden die vertikalen Schichtenfolgen der Bauelemente (Photodiode und HEMT) und auch deren laterale Designs optimiert. Für die höhere Bitratenstufe wird die Photodiode in einer micro-pin-Photodiodenform und die Wanderwellendetektorform innerhalb des Integrationskonzepts weiterentwickelt (Bandbreiten um 120 GHz) und mit einem optimierten Wanderwellenverstärker monolithisch integriert. Als Ergebnisse werden unter anderem ein Integrationskonzept für einen 160- Gbit/s-Empfänger und ein Technologiedemonstrator dafür beschrieben. Hervorzuheben ist die erzielte direkte optisch-elektrische Konversion für die Datenrate von 160 Gbit/s.defaseroptische NachrichtenübertragungLichtempfängerÜbertragungsgeschwindigkeitBandbreite=FrequenzWanderwelleFlip-Chip-TechnologieHEMT=High-Electron-Mobility-TransistorPhotodiodeMolekularstrahlepitaxieelektronisches BauelementForschungsprojekt621report