Bohmayr, W.W.BohmayrBurenkov, A.A.BurenkovLorenz, J.J.LorenzRyssel, H.H.RysselSelberherr, S.S.Selberherr2022-03-092022-03-091997https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/328696enAmorphisierungamorphizationHalbleitertechnologieion implantationIonenimplantationMonte-Carlo simulationprocess simulationProzeßsimulationsemiconductor technology670620530Monte-Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantationMonte-Carlo-Simulation von Silicium-Amorphisierung bei Ionenimplantationconference paper