Lange, P.P.LangeHartmannsgruber, E.E.HartmannsgruberNaumann, F.F.NaumannWindbracke, W.W.Windbracke2022-03-082022-03-081993https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/321513Mit Hilfe eines schellen thermischen Oxidationsprozesses von Silizium in N2O-Atmosphäre wurden ultradünne, leicht nitridierte SiO2-Schichten hergestellt. Dabei konnten erstmals Dickenuniformitäten im 2 %-Bereich erzielt werden. Oberflächenanalytische Untersuchungen ergaben eine Stickstoffkonzentration um 7 % an der Si/SiO2-Grenzfläche und eine wesentlich geringere Konzentration im SiO2-Volumen. Unter elektrischem Streß zeigten MOS (Metal Oxide Semiconductor)-Kondensatoren mit nitridiertem Gateoxid eine hohe Zuverlässigkeit.de621conference paper