Tsien, P.H.P.H.TsienTsou, S.C.S.C.TsouTakai, M.M.TakaiRoeschenthaler, D.D.RoeschenthalerRamin, M.M.RaminRyssel, H.H.RysselRuge, I.I.RugeWittmaack, K.K.Wittmaack2022-03-022022-03-021981https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/170302enannealingBorimplantationlaserRekristallisationSilizium530Annealing of boron-implanted silicon using a CW CO2-laser.Ausheilung von Bor implantiertem Silizium mittels eines CW CO2 Lasersjournal article