Verbundvorhaben: Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer (ENOWA). Teilprojekt: Erarbeitung der Grundlagen für einen schädigungsarmen Säge- und Vereinzelungsprozess für Quasi-Mono-Silizium

Rist, T.T.RistLagger, H.H.LaggerKrappitz, M.M.KrappitzKübler, R.R.Kübler2022-03-082022-03-082015https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/30023910.2314/GBV:859766225deQuasi-Mono-SiliziumDiamantdrahtTrennprozessKühlschmierstoffewafer620Verbundvorhaben: Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer (ENOWA). Teilprojekt: Erarbeitung der Grundlagen für einen schädigungsarmen Säge- und Vereinzelungsprozess für Quasi-Mono-Siliziumreport