Sauer, B.B.SauerHaase, T.T.HaaseGottfried-Gottfried, R.R.Gottfried-Gottfried2022-03-092022-03-091994https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/322528Ein hochempfindlicher Fluxgate-Magnetfeldsensor (Saturationskernmagnetometer) wurde erstmalig vollständig in Silicium-Planartechnologie realisiert. Die Fertigung in einem konventionell verfügbaren 1,5fm CMOS-Prozeß mit nur einem Zusatzschritt (CMOS-verträglich) erlaubt die monolithische Integration der Ansteuer- und Auswerteelektronik des Sensors auf dem gleichen Chip. Die vom Sensorelement benötigte Chipfläche von nur 0,5mm2 eröffnet neue Möglichkeiten zur Realisierung ebener und räumlicher Multisensoranordnungen mit einer von klassischen Fluxgate-Sensoren nicht erreichbaren örtlichen Auflösung. Potentielle Anwendungen findet der Sensor in der Magnetfeldmessung, in elektronischen Kompaßsystemen, der potentialfreien Strommessung oder auf dem Gebiet der nichtzerstörenden Materialprüfung.deCMOS-TechnikFluxgate-MagnetfeldsensorFörstersondeMagnetfeldmessungmagnetisches BauelementMagnetometerMeßaufnehmerSaturationskernmagnetometer621conference paper