Haydl, W.H.W.H.HaydlPomrenke, G.S.G.S.PomrenkeEnnen, H.H.Ennen2022-03-022022-03-021986https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/17390010.1063/1.3366192-s2.0-0022593996enDefektkomplexErde(selten implantiert)III-V HalbleiterInfra 4f-UebergangInfrarotemissionPhotolumineszenz-Untersuchung621667530Photoluminescence optimization and characteristics of the rare-earth element erbium implanted in GaAs, InP, and GaPjournal article