Fritzsche, C.R.C.R.FritzscheRothemund, W.W.Rothemund2022-03-022022-03-021983https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/171907enGalliumarsenidGalliumphosphidimplantationPackungsfehlerRasterelektronenmikroskopRekristallisationSchicht(amorph)SiliziumStrahlungsschaden621667The lateral-extension of radiation damage in ion-implanted semiconductors.Seitliche Ausdehnung des Strahlungsschadens in ionenimplantierten Halbleiternjournal article