Kokozinski, RainerRainerKokozinskiRaffelberg, PascalPascalRaffelbergStanitzki, AlexanderAlexanderStanitzkiVerheyen, ErikErikVerheyen2022-03-082022-03-082018https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/312239Ausführungsbeispiele schaffen ein Herstellungsverfahren, mit einem Schritt des Bereitstellens eines Halbleitersubstrats, wobei das Halbleitersubstrat eine kryptographische Schaltung und einen nichtflüchtigen Speicher aufweist; einem Schritt des Ermittelns einer kryptographischen Information der kryptographischen Schaltung; einem Schritt des Speicherns der kryptographischen Information auf dem Speicher; und einem Schritt des Auftrennens des Halbleitersubstrats zwischen der kryptographischen Schaltung und dem Speicher, so dass die kryptographische Schaltung und der Speicher auf voneinander vollständig getrennten Teilen des Substrats angeordnet sind.de621patent102017207046