Aniel, F.F.AnielEnciso-Aguilar, M.M.Enciso-AguilarGiguerre, L.L.GiguerreCrozat, P.P.CrozatAdde, R.R.AddeMack, T.T.MackSeiler, U.U.SeilerHackbarth, T.T.HackbarthHerzog, H.J.H.J.HerzogKönig, U.U.KönigRaynor, B.B.Raynor2022-03-032022-03-032003https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/20323110.1016/S0038-1101(02)00208-3en621667537High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFETjournal article