Altmann, F.F.AltmannKatzer, D.D.Katzer2022-03-032022-03-032004https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/206758Die Charakterisierung und Fehlerdiagnose höchstintegrierter elektronischer Bauelemente mit ihren immer kleiner werdenden Strukturen erfordern Untersuchungen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), um strukturell bedingte elektronische Ausfallursachen zu finden. Für die TEM-Untersuchungen ist die schnelle und zielgenaue Präparation von elektronentransparenten Lamellen mit Dicken im 100 nm-Bereich von der Ausfallregion im integrierten Schaltkreis notwendig. Derartige Lamellen können mit Hilfe der fokussierenden Ionenstrahltechnik (focused ion beam FIB - technology) effektiv hergestellt werden. Diese Technik erlaubt einen gezielten Materialabtrag mit einer lateralen Auflösung von 10 nm.defocused ion beam (FIB)ZielpräparationElektronenmikroskopieMikroelektronikMikrosystemtechnik531620journal article