Gessner, T.T.GessnerSchulz, S.S.SchulzWächtler, T.T.WächtlerLang, H.H.LangJakob, A.A.Jakob2022-03-082022-03-082007https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/308347Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit einer Beschichtung aus Kupfer bzw. einer Kupfer enthaltenden Beschichtung mittels Atomlagenabscheidung (ALD). Hierfür wird als Kupfer-Precursor ein Fluor-freier Kupfer (I)-Komplex der Formel $I1 eingesetzt, bei dem L ein sigma-Donor-pi-Akzeptor oder ein sigma,pi-Donor-pi-Akzeptor Ligand ist und bei dem $I2 ein zweizähniger Ligand ist, nämlich ein beta-Diketonat, ein beta-Ketoiminat, ein beta-Diiminat, ein Amidinat, ein Carboxylat oder ein Thiocarboxylat.DE 102007058571 A1 UPAB: 20090629 NOVELTY - Producing a copper-coated substrate comprises applying a fluorine-free copper(I) complex to the substrate by atomic layer deposition and optionally treating the substrate with a reducing agent. DETAILED DESCRIPTION - Producing a copper-coated substrate comprises applying a fluorine-free copper(I) complex of formula L2Cu(X-X) to the substrate by atomic layer deposition and optionally treating the substrate with a reducing agent. L = a sigma -donor/ pi -acceptor or sigma , pi -donor/ pi -acceptor ligand; X-X = a bidentate beta -diketonate, beta -ketoiminate, beta -diiminate, amidinate, carboxylate or thiocarboxylate ligand. An INDEPENDENT CLAIM is also included for a substrate with a 2-30 nm thick coating produced as above. USE - The process is useful for producing microelectronic contact and conductor systems or thin layer solar cells (claimed). ADVANTAGE - Adhesion problems associated with the use of fluorine-containing complexes are avoided (compare US6482740).depatent102007058571