Larkins, E.C.E.C.LarkinsBaeumler, MartinaMartinaBaeumlerWagner, J.J.WagnerBender, G.G.BenderHerres, N.N.HerresMaier, M.M.MaierRothemund, W.W.RothemundFleissner, J.J.FleissnerJantz, W.W.JantzRalston, J.D.J.D.RalstonFlemig, G.G.FlemigBrenn, R.R.Brenn2022-03-092022-03-091994https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/322767endislocationGaAsInGaAsMBEMQWVersetzung621667MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glideMBE-Wachstum von In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs für Hochgeschwindigkeits-Laser-Dioden - Relaxationsgrenzen und Faktoren, die Bewegungen von Versetzungen beeinflussenconference paper