Rohmer, G.G.RohmerSauerer, J.J.SauererSeitzer, D.D.SeitzerGrave, T.T.GraveKellner, W.W.Kellner2022-03-082022-03-081993https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/320859In einem 0.5 mu m GaAs E/D SAGFET-Prozeß wurde ein differentielles Abtasthalteglied (A/H) entwickelt. Durch Reduzierung des internen Spannungshubes konnten nicht rückgekoppelte Diodenbrücken als Schalter verwendet werden. Die maximale Abtastrate der Schaltung liegt bei 2.3 GHz. Die Genauigkeit bei einer Taktfrequenz von 1 GHz und Signalfrequenzen bis zur Nyquistfrequenz von 500 MHz beträgt mindestens 7.7 Bit. Somit sind die Anforderungen erfüllt, um das A/H z. B. als Teilkomponente eines 1 GHz 8 Bit Kaskadenumsetzers einzusetzen.deAbtasthaltegliedADCADUAnalog-Digital-Umsetzeranalog-to-digital-converterGallium Arsenidgallium arsenideMESFETsample and holdtrack and hold006621conference paper